विदेशी मीडिया रिपोर्टों के अनुसार, फ्रांसीसी परमाणु ऊर्जा एजेंसी (सीईए) की सहायक इलेक्ट्रॉनिक सूचना प्रौद्योगिकी संस्थान (लेटी) के इंजीनियरों का दावा है कि माइक्रो एलईडी के उत्पादन की उनकी नई विधि वर्तमान के साथ उच्च-प्रदर्शन डिस्प्ले के उत्पादन में क्रांतिकारी बदलाव लाएगी। कार्बनिक एल ई डी (ओएलईडी) की तुलना में एलसीडी और उत्कृष्ट छवि गुणवत्ता और ऊर्जा दक्षता डिजाइन।
लेटि फोटोनिक्स के लिए विपणन रणनीति के निदेशक फ्रेंकोइस टेम्पलर ने हाल ही में एक नई विनिर्माण प्रक्रिया शुरू की है जो सैन जोस, कैलिफोर्निया में इंटरनेशनल सोसाइटी फॉर इंफॉर्मेशन डिस्प्ले (एसआईडी) डिस्प्ले सप्ताह में सिलिकॉन-आधारित ड्राइवर सर्किट के साथ प्रकाश उत्सर्जक अर्धचालक का संयोजन करता है।
बड़े आकार के डिस्प्ले के विकास से उच्च छवि रिज़ॉल्यूशन की मांग का मतलब है कि सैमसंग के नए वाणिज्यिक माइक्रो सहित सभी प्रकार के प्रदर्शनों को चलाने के लिए तेज़ इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की आवश्यकता होती है, जिसमें लाखों व्यक्तिगत पिक्सेल एमिटर शामिल हैं। एलईडी प्रारूप और अन्य उत्पादों।
हालांकि, पतली फिल्म ट्रांजिस्टर (टीएफटी) सक्रिय मैट्रिक्स डिजाइन पर आधारित मौजूदा ड्राइव सर्किट आवश्यक वर्तमान और गति आवश्यकताओं को प्रदान नहीं करते हैं। लेटी द्वारा विकसित की गई नई विधि CMOS द्वारा संचालित सरलीकृत स्थानांतरण प्रक्रिया के साथ उच्च-प्रदर्शन GaN माइक्रो एलईडी डिस्प्ले का उत्पादन करती है जो पारंपरिक टीएफटी बैकप्लेन की आवश्यकता को समाप्त करती है। प्रत्येक इकाई को एक साधारण प्राप्त सब्सट्रेट में स्थानांतरित करने से पहले लाल, हरे और नीले माइक्रो एल ई डी सीधे माइक्रो सीएमओएस सर्किट पर स्टैक्ड होते हैं, और प्रकाश उत्सर्जक और बैकप्लेन एक साथ एक सिंगल सेमीकंडक्टर प्रोसेसिंग लाइन पर एक वेफर स्केल पर गढ़े जाते हैं।
