यह बताया गया है कि अर्धचालक उद्योग के लिए जमा उपकरण के दुनिया के अग्रणी आपूर्तिकर्ता एइक्सट्रॉन ने कहा कि प्लेसे ने अपने एईक्स जी 5 + सी ग्रहीय रिएक्टर प्लेटफॉर्म का आदेश दिया है। प्लेसी ने अगली पीढ़ी के माइक्रोलेड अनुप्रयोगों के लिए सिलिकॉन-ऑन-गाएन (GaN-on-Si) epitaxial वेफर्स की क्षमता बढ़ाने के लिए धातु कार्बनिक रासायनिक वाष्प जमावट (एमओसीवीडी) प्रणाली का उपयोग करने की योजना बनाई है।
AIX G5 + C MOCVD सिस्टम एक स्वचालित कैसेट (सी 2 सी) वेफर ट्रांसफर मॉड्यूल प्रदान करता है जिसमें 8 * 6 "या 5 * 8" GaN-on-Si वेफर्स के लिए एक बंद स्वचालित स्वचालित लोडिंग और एक कैसेट वातावरण में हटाने के लिए दो स्वतंत्र कक्ष कॉन्फ़िगरेशन विकल्प होते हैं। ।
ऐ सिक्किआंग ने कहा कि नए रिएक्टर प्लेटफॉर्म की स्वचालित सफाई तकनीक यह सुनिश्चित करती है कि उपकरण हर बार साफ हो जाता है, वेफर दोष दर को कम करने में मदद करता है और डाउनटाइम को काफी कम करता है। नए उपकरणों में तेजी से अंत और ठंडा करने और नुस्खा के समय को कम करने के लिए एक उच्च संवेदक उतारने वाला तापमान भी शामिल है।
एईक्स जी 5 + सी रिएक्टर प्लेटफॉर्म कंपनी की मालिकाना GaN-on-Si तकनीक का उपयोग करके अपनी सिंगल-चिप माइक्रोलेड आर एंड डी क्षमताओं को बढ़ाने के लिए प्लेसे की योजनाओं का समर्थन करेगा।
प्लेसेई का कहना है कि इसके माइक्रोलेड में अत्यधिक चमक और पिक्सेल घनत्व है और बहुत कम बिजली का उपभोग करते हैं। इन प्रदर्शन विशेषताओं में एलसीडी और ओएलईडी सहित पारंपरिक प्रदर्शन तकनीकों में कई मौजूदा अनुप्रयोगों को प्रभावित करने की क्षमता है। यह माइक्रोलेड डिस्प्ले एक बहुत ही उच्च घनत्व आरजीबी पिक्सेल सरणी को एक सीएमओएस बैकप्लेन के साथ जोड़ता है ताकि वे पहनने योग्य इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सिर पर चलने वाले डिस्प्ले के साथ-साथ बढ़ी हुई वास्तविकता और आभासी वास्तविकता प्रणालियों के लिए अत्यधिक उच्च चमक, कम शक्ति और उच्च फ्रेम दर छवि स्रोत प्रदान कर सकें।
